Studi Sifat Listrik pada Film GaN Doping Mg yang Ditumbuhkan dengan Metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Berbantuan Plasma

Publication Name : Indonesian Journal of Physics 13 (4), 193-196, 2002

Citation :

Date : 2002

Publication URL

https://scholar.google.com/scholar?q=+intitle:"Studi Sifat Listrik pada Film GaN Doping Mg yang Ditumbuhkan dengan Metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Berbantuan Plasma"

Authors

M. ALI S

S2 - Pendidikan Biologi

Files