PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK

Publication Name : Jurnal Sains Materi Indonesia, 29-34, 2019

Citation :

Date : 2019

Publication URL

https://scholar.google.com/scholar?q=+intitle:"PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK"

Authors

MURSAL

S2 - FISIKA

Files